12月10日,比亞迪在寧波發(fā)布了在車規(guī)級領域具有標桿性意義的IGBT4.0技術(shù),再一次展示出其在電動車領域的領先地位。這一晚,比亞迪將IGBT這個長期游離于人們視野、但又堪稱電動車CPU的核心技術(shù)帶到了“聚光燈”下。
『活動現(xiàn)場』
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”,其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的“雙芯”,是影響電動車性能的關鍵技術(shù),其成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言,IGBT直接控制驅(qū)動系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換,決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。得益于在IGBT等核心技術(shù)領域的強大實力,比亞迪電動車的超凡性能得以落地并具備持續(xù)迭代升級的能力。
『比亞迪IGBT4.0晶圓』
作為中國第一家實現(xiàn)車規(guī)級IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企,此次發(fā)布會上,比亞迪還釋放了另一重磅消息:比亞迪已投入巨資布局性能更加優(yōu)異的第三代半導體材料SiC(碳化硅),有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年,比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。
『比亞迪IGBT4.0』
比亞迪推出IGBT4.0,引領車規(guī)級功率半導體發(fā)展
IGBT屬于汽車功率半導體的一種,因設計門檻高、制造技術(shù)難、投資大,被業(yè)內(nèi)稱為電動車核心技術(shù)的“珠穆拉瑪峰”。此前,該技術(shù)主要掌握在國際巨頭手中。
“比亞迪依靠自身強大的研發(fā)實力、人才的聚集、產(chǎn)業(yè)鏈的配套,在汽車功率半導體領域有了非常核心的突破,這個突破不是今天想,明天投入就能實現(xiàn)的,是積累了十多年的技術(shù)、人才和產(chǎn)業(yè)鏈才能實現(xiàn)的。”中國半導體行業(yè)協(xié)會IC設計分會副理事長周生明在活動現(xiàn)場如此表示。
制造IGBT難度極大,在大規(guī)模應用的1200V車規(guī)級IGBT芯片的晶圓厚度上,比亞迪處于全球先進水平,可將晶圓厚度減薄到120um(約兩根頭發(fā)絲直徑)。
『IGBT芯片打線』
經(jīng)過10余年的技術(shù)積累,比亞迪IGBT不斷迭代更新。活動現(xiàn)場,中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會秘書長蔚紅旗表示:“比亞迪在電動車功率半導體領域布局較早,而且真抓實干,在電動車功率半導體領域創(chuàng)造了領先,中國的電動車發(fā)展不用擔心被‘卡脖子’了。”
此次推出的比亞迪IGBT4.0,在諸多關鍵技術(shù)指標上都優(yōu)于當前市場主流產(chǎn)品,例如:
1、電流輸出能力較當前市場主流的IGBT高15%,支持整車具有更強的加速能力和更大的功率輸出能力。
2、同等工況下,綜合損耗較當前市場主流的IGBT降低了約20%。這意味著電流通過IGBT器件時,受到的損耗降低,使得整車電耗顯著降低。以比亞迪全新一代唐為例,在其他條件不變的情況下,僅此一項技術(shù),就成功將百公里電耗降低約3%。
3、溫度循環(huán)壽命可以做到當前市場主流IGBT的10倍以上。這意味著比亞迪電動車在應對各種極端氣候、路況時,能有更高的可靠性和更長的使用壽命。此前,比亞迪電動車就以其優(yōu)異的性能與穩(wěn)定的可靠性,完成了從新疆吐魯番的高溫,到北歐的極寒、再到西藏高原的高海拔等全球最嚴苛自然環(huán)境的測試,并在全球300多個市場成功經(jīng)歷了各種氣候、路況、駕駛習慣的考驗,得到廣泛認可。
『比亞迪IGBT4.0較當前市場主流的IGBT:電流輸出能力高15%,綜合損耗降低了約20%。』
厚積薄發(fā),打造電動車性能標桿
在剛剛結(jié)束的2018廣州車展上,比亞迪全新一代唐EV正式對外預售。其百公里加速4.4秒、續(xù)航里程600公里(60km/小時等速續(xù)航下)的超強性能再度確立了行業(yè)領先地位,并獲得消費者的高度認可,預售當天的訂單便突破2000輛。
中國科學院院士、國家863“節(jié)能與新能源汽車”重大項目專家組組長歐陽明高曾評價,比亞迪全新一代唐“已經(jīng)可以與世界上任何一家車企的電動汽車技術(shù)相較量,代表了當前電動汽車制造的最高水準”。
市場和行業(yè)的認可,離不開比亞迪IGBT等核心技術(shù)的加持。得益于比亞迪IGBT在芯片損耗、電流輸出能力等方面的優(yōu)異性能,比亞迪插電式混合動力汽車,率先搭載了“542”黑科技——“百公里加速5秒以內(nèi)、全時電四驅(qū)、百公里油耗2升以內(nèi)”。
『比亞迪全新一代唐EV的續(xù)航里程達600公里(60km/小時等速續(xù)航下)』
從2015到2017年,比亞迪電動車的銷量已經(jīng)連續(xù)三年位居全球第一。這與比亞迪在IGBT等核心技術(shù)領域的超前布局密不可分。
十多年前,在外界還不看好電動車前景的時候,“技術(shù)狂人”王傳福就默默布局了電動車的核心技術(shù)。作為2003年才進入汽車行業(yè)的新玩家,比亞迪從一開始就密切關注IGBT等電動車核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng)新。
2005年,比亞迪組建自身研發(fā)團隊,投入重金布局IGBT產(chǎn)業(yè)。
2009年9月,比亞迪IGBT芯片通過了中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的科技成果鑒定,打破了國際巨頭的技術(shù)壟斷。
目前,比亞迪已經(jīng)陸續(xù)掌握IGBT芯片設計和制造、模組設計和制造、大功率器件測試應用平臺、電源及電控等環(huán)節(jié),是中國唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企。
比亞迪推電動車“CPU” 2019年或再亮“殺手锏”
『比亞迪IGBT產(chǎn)品晶圓』
提前布局SiC,比亞迪欲再度引領電動車變革
“馴服”了IGBT,比亞迪又將目光投向了更遠的未來。
雖然在未來較長一段時間內(nèi),IGBT仍將供不應求。但比亞迪也已預見到,隨著電動車性能不斷地提升,對功率半導體組件提出了更高的要求,當下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體材料,已成為學界和業(yè)界的普遍共識。
據(jù)悉,比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC,并將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產(chǎn)業(yè)鏈,致力于降低SiC器件的制造成本,加快其在電動車領域的應用。
『第三代半導體材料SiC、比亞迪SiC晶圓』
此次發(fā)布會上,比亞迪宣布,已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET(汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等),有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年,比亞迪將在旗下的電動車中,實現(xiàn)SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代,將整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10%。
比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛表示:“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續(xù)迭代更新的新一代‘殺手锏’,我們期望在加速、續(xù)航等性能指標上,為廣大消費者帶來更多驚喜。”
『比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛分享比亞迪在汽車功率半導體領域的布局』
以技術(shù)創(chuàng)新,助力中國汽車產(chǎn)業(yè)“再向上”
在過去相當長的時間里,IGBT的核心技術(shù)始終掌握在國外廠商手里,中高端IGBT市場90%的份額被國際巨頭壟斷,導致“一芯難求”,成為制約我國電動車行業(yè)健康、快速發(fā)展的主要瓶頸。
根據(jù)世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子(Future Electronics LTD)的統(tǒng)計,2018年,車規(guī)級IGBT模塊的交貨周期最長已經(jīng)達到52周(IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周)。而2018-2022年,全球電動車年復合增長率達30%,但同期車規(guī)級IGBT市場的年復合增長率僅為15.7%?梢灶A見,未來幾年全球車規(guī)級IGBT市場的供應將愈加緊張。
在功率半導體等核心技術(shù)的加持下,比亞迪在過去的三年位居全球電動車銷量第一,并助推我國電動車行業(yè)高速發(fā)展——正是在這三年,我國電動車產(chǎn)銷量持續(xù)領跑全球、保有量全球占比達到50%。
十多年前,比亞迪打破國際巨頭對IGBT的技術(shù)壟斷,助力我國電動車的快速發(fā)展;今天,比亞迪推出了全新的車規(guī)級IGBT4.0,為我國汽車產(chǎn)業(yè)的換道超車,提供強大的“中國芯”。未來,伴隨著比亞迪SiC的推出與大規(guī)模應用,我國汽車產(chǎn)業(yè)的“再向上”將獲得新的助推力。
『比亞迪IGBT芯片通過中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的科技成果鑒定』